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高壓超結MOS

型號

溝道

VDS
(Max)

VGS

VTH

ID
(Max)

IDM
(MAX)

RDS(on)
(Max)

封裝

直接替換型號

HMS8N50K

N溝道

500V

30V

3.5V

7.6A

23A

500mΩ

TO-252

IPP50R520P6/IPP50R520C6/
IPP50R520E6/IPP50R520C6/
IPP50R520E6

HMS24N50F

N溝道

500V

30V

3.5V

25A

70A

120mΩ

TO-220F

IPP50R140P6/IPP50R140C6/
IPP50R140E6/IPP50R140C6/
IPP50R140E6

HMS7N60K

N溝道

600V

30V

3V

7A

21A

680mΩ

TO-252

IPP60R680/IPA60R680

HMS8N60/F/K/I

N溝道

600V

30V

3V

8A

24A

480mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-252/TO-251

IPP60R600/IPA60R600/
IPP60R520/IPA60R520

HMS10N60K

N溝道

600V

30V

3V

10A

40A

420mΩ

TO-252

IPP60R450P6/IPP60R450C6/
IPP60R450E6/IPP60R450C6/
IPP60R450E6

HMS11N60K/I

N溝道

600V

30V

3.5V

11.5A

46A

290mΩ

TO-252/TO-251

IPP60R330P6/IPA60R330P6/
IPP60R380/IPA60R380 
IPP60R450E6/IPA60R450E6/
IPA60R400CE/IPA60R460CE

HMS11N60/F/D

N溝道

600V

30V

3V

11A

33A

300mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-263

IPP60R330P6/IPA60R330P6/
IPP60R380/IPA60R380 
IPP60R450E6/IPA60R450E6/
IPA60R400CE/IPA60R460CE

HMS15N60/
F/K/D/A

N溝道

600V

30V

3V

15A

45A

230mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-252/TO-263/
TO-3P

IPP60R230P6/IPA60R230P6/
IPP60R280/IPA60R280

HMS21N60/F/A

N溝道

600V

30V

3V

21A

63A

150mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-3P

IPP60R180C7/IPA60R180C7
IPP60R190/IPA60R190/
IPP60R160C6/IPA60R160C6

HMS28N60/F/T

N溝道

600V

30V

3.5V

28A

112A

110mΩ

TO-220/|TO-220F/
TO-247

IPP60R099/IPA60R099

HMS38N60/F/T

N溝道

600V

30V

3.5V

38A

152A

89mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-247

IPP60R099C6/IPA60R099C6/
IPP60R099E6/IPA60R099E

HMS47N60A

N溝道

600V

30V

3.5V

47A

141A

70mΩ

TO-3P

IPA60R099C7/IPA60R099P6/
IPA60R099C6/IPA60R099E6

HMS75N60T

N溝道

600V

30V

3.5V

75A

300A

36mΩ

TO-247

IPP60R041C6/IPA60R041C6/
IPP60R041E6/IPA60R041E6

HMS5N65/F/K
N溝道
帶ESD
650V
20V
3V
5A
15A
950mΩ
TO-220/TO-220F/
TO-252
IPP65R900/LSC05N65/
SGF900N65W3
多層外延工藝,抗沖擊性強

HMS7N65K

N溝道

650V

30V

3V

7A

21A

680mΩ

TO-251/TO-252

IPP65R680/IPA65R680

HMS8N65/F/K/I

N溝道

650V

30V

3V

8A

24A

480mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-252/TO-251

IPP65R600/IPA65R600

HMS11N65K/I

N溝道
帶ESD

650V

30V

3.5V

11.5A

46A

290mΩ

TO-252/TO-251

IPP65R380/IPA65R38
多層外延工藝,抗沖擊性強

HMS11N65/F/D

N溝道
帶ESD

650V

30V

3V

11A

33A

300mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-263

IPP65R380/IPA65R380
多層外延工藝,抗沖擊性強

HMS15N65/
F/K/D/A

N溝道

650V

30V

3V

15A

45A

230mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-252/TO-263/
TO-3P

IPP65R225C7/IPA65R225C7
IPP65R280/IPA65R280

HMS17N65/F/D

N溝道
帶ESD

650V

30V

3V

17A

51A

210mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-263

IPP65R210/IPA65R210
多層外延工藝,抗沖擊性強

HMS21N65/F/D
/T/A

N溝道
帶ESD

650V

30V

3V

21A

63A

180mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-263/TO-247/
TO-3P

IPP65R190/IPA65R190
多層外延工藝,抗沖擊性強

HMS25N65/F/T

N溝道
帶ESD

650V

30V

3.5V

25A

100A

115mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-247

IPP65R130/IPA65R130
多層外延工藝,抗沖擊性強

HMS28N65/F/T

N溝道

650V

30V

3.5V

28A

112A

110mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-247

IPP65R099/IPA65R099

HMS29N65F/T

N溝道
帶ESD

650V

30V

3.5V

28A

112A

96mΩ

TO-220F/TO-247

IPP65R110/IPA65R110
多層外延工藝,抗沖擊性強

HMS38N65/F/T

N溝道

650V

30V

3.5V

38A

152A

89mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-247

IPP65R099C6/IPA65R099C6/
IPP65R099E6/IPA65R099E6

HMS47N65A

N溝道

650V

30V

3.5V

47A

141A

80mΩ

TO-3P

IPA65R080C6/IPA65R080E6

HMS75N65T

N溝道

650V

30V

3.5V

75A

300A

36mΩ

TO-247

IPP65R041C6/IPA65R041C6/
IPP65R041E6/IPA65R041E6

HMS4N70/F/K/I

N溝道

700V

30V

3V

4A

12A

1200mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-252/TO-251

IPP70R1K2/IPA70R1K

HMS7N70K

N溝道

700V

30V

3V

7A

28A

680mΩ

TO-252

IPP70R680/IPA70R680

HMS8N70/F/K/I

N溝道
帶ESD

700V

30V

3V

8A

24A

540mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-252/TO-251

IPP70R600/IPA70R60
多層外延工藝,抗沖擊性強

HMS11N70F/K

N溝道
帶ESD

700V

30V

3V

11A

30A

400mΩ

TO-220F/TO-252

IPP70R450P6/IPP70R450C6/
IPP70R450E6/IPP70R450C6/
IPP70R450E6
多層外延工藝,抗沖擊性強

HMS15N70F/D

N溝道

700V

30V

3V

15A

45A

300mΩ

TO-220F/TO-263

IPP70R340P6/IPP70R340C6/
IPP70R340E6/IPP70R340C6/
IPP70R340E6

HMS16N70/F/D
N溝道
帶ESD
700V
20V
3V
16A
48A
200mΩ
TO-220/TO-220F/
TO-263
IPP70R230P6/IPP70R230C6/
IPP70R230E6
多層外延工藝,抗沖擊性強
HMS20N70/F/D/T
N溝道
帶ESD
700V
30V
3V
20A
60A
180mΩ
TO-220/TO-220F/
TO-263/TO-247
IPP70R190/IPA70R19
多層外延工藝,抗沖擊性強

HMS21N70/F/A

N溝道

700V

30V

3V

21A

63A

180mΩ

TO-220/TO-220F/
TO-3P

IPP70R190/IPA70R19

HMS5N80K/I

N溝道

800V

30V

3.5V

5A

15A

1290mΩ

TO-252/TO-251

IPP80R1K2P6

HMS7N80K/I

N溝道

800V

30V

3.5V

7A

21A

840mΩ

TO-252/TO-251

IPP80R900P6

HMS18N80F

N溝道

800V

30V

3.5V

18A

54A

280mΩ

TO-220F

IPP80R280

HMS5N90K/I

N溝道

900V

30V

3.5V

5A

15A

1480mΩ

TO-252/TO-251

IPP90R1K2P6

HMS7N90K/I

N溝道

900V

30V

3.5V

7A

21A

995mΩ

TO-252/TO-251

IPP90R1K0P6


備注:
1. 標注的Id電流是MOS芯片的最大常態電流,實際使用時的最大常態電流還要受封裝的最大電流限制。因此客戶設計產品時的最大使用電流設定要考慮封裝的最大電流限制。建議客戶設計產品時的最大使用電流設定更重要的是要考慮MOS的內阻參數。
2. 建議在MOS的柵源(G/S)極之間并一個電阻(10K)和一個穩壓二極管(5V-12V)起到保護柵源(G/S)極過壓的作用。
3.建議MOS管的開啟電壓盡量提高,這樣MOS管才能充分開啟導通,這個時候內阻最小,不容易發燙。一般建議低壓MOS的VGS開啟電壓設定為4.5V以上,中高壓MOS的開啟電壓設定為10V以上.
4.MOS 電路操作注意事項:
靜電在很多地方都會產生,采取下面的預防措施,可以有效防止MOS 電路由于受靜電放電影響而引起的損壞:
? 操作人員要通過防靜電腕帶接地。
? 設備外殼必須接地。
? 裝配過程中使用的工具必須接地。
? 必須采用導體包裝或抗靜電材料包裝或運輸

利用先進的電荷平衡技術,華之美半導體全新推出第二代超結MOSFET系列產品,在第一代超結MOSFET產品的基礎上大幅度提高了單位面積內的電流密度,產品特征導通電阻(Rdson*A)降低40%,開關損耗降低12%,總能效提升1.7%。我們為電路設計師提供600V-900V,4A-20A的多樣電壓-電流選擇,同時,也為您帶來TO-252/TO-251/TO-220/TO-220F/TO-263/TO-3P的不同功率選擇,實現占用更少的電路板空間并提高可靠性。
 
通過采用領先的單層外延工藝技術,第二代超結MOSFET當中新增了700V-900V的產品系列,為系統應用提供更加充足的耐壓余量,簡化電路設計難度,提供更高的系統可靠性。這些產品廣泛適宜于對系統效率有更高要求的照明應用、各類電源、適配器以及智能手機、平板電腦充電器。
 
產品特征:
·卓越的功率轉換效率                                                       
·極低的導通功率損耗源于極低的特征導通電阻(Ron*A)
·極低的開關功率損耗和驅動功率損耗源于極低的FOM(Ron*Qg)           
·更小的封裝體積                
·卓越的EAS能力(100% EAS測試) 
 
產品應用:
· 電腦、服務器的電源                                                      
· 適配器(筆記本電腦,打印機等                           
· 照明(HID/LED照明,工業照明,道路照明等                                
· 消費類電子產品(液晶電視,等離子電視等)


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