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低壓超級溝槽MOS

型號

溝道

VDS(Max)

VGS

VTH(Typ)

 (Max)

IDM

RDS(on)(Max)

封裝

直接替代型號

HMS4354
N溝道
30V
20V
1.6V
30A
90A
1.8mΩ
SOP8
AO4354
HMS4240
N溝道
40V
20V
1.5V
30A
90A
1.4mΩ
SOP8
AO4240/IRF7842/
Si4840BDY/Si4124DY

HMS4438

N溝道

60V

20V

1.8V

10A

60A

12mΩ

SOP8

AO4438/ME4436/Si4436DY
Si4850EY/IRF7478
IRF7478Q/IRF7855/ETM6009

HMS4264

N溝道

60V

20V

1.75V

14A

42A

8.5mΩ

SOP8

AO4264

HMS4260

N溝道

60V

20V

1.7V

20A

130A

4.0mΩ

SOP8

AO4260

HMS4444B
N溝道
80V
20V
2.5V
10A
30A
16mΩ
SOP8
AO4444L/AO4448

HMS4444A

N溝道

80V

20V

2.5V

17A

51A

6.8mΩ

SOP8

AO4444L/AO4448

HMS4444

N溝道

85V

20V

1.8V

15A

60A

7.0mΩ

SOP8

AO4444L/AO4448

HMS4454

N溝道

100V

20V

1.8V

8A

40A

20mΩ

SOP8

AO4454/AO4452/FDS3672

HMS4296

N溝道

100V

20V

1.7V

12A

48A

11.5mΩ

SOP8

AO4296

HMS4294

N溝道

100V

20V

1.7V

14A

56A

8.8mΩ

SOP8

AO4294

HMS4290

N溝道

100V

20V

1.7V

16A

64A

7.9mΩ

SOP8

AO4290

HMS4296B

N溝道

120V

20V

1.7V

12A

48A

10.9mΩ

SOP8

AO4296

HMS4488
N溝道
150V
20V
2V
5A
15A
57mΩ
SOP8
AO4488/FDS86242/
FDS2572/DTM5106

中壓大電流超級溝槽MOS

型號

溝道

VDS
(Max)

VGS

VTH

ID
(Max)

IDM

RDS(on)
(Max)

封裝 

直接替代型號

HMS45N03D

N

30V

20V

1.5V

45A

125A

5.8mΩ

DFN5X6-8L


HMS65N03Q

N

30V

20V

1.5V

65A

260A

1.9mΩ

DFN3X3-8L


HMS85N03ED

N

30V

20V

1.5V

85A

200A

2.7mΩ

DFN5X6-8L

HMS120N03D

N

30V

20V

1.7V

120A

340A

1.95mΩ

DFN5X6-8L

AON6512

HMS170N03D

N

30V

20V

1.5V

170A

400A

1.35mΩ

DFN5X6-8L

AON6406/AON6512
AON6500/AON6560

HMS60N04EQ

N / 帶
ESD
保護

40V

20V

1.5V

60A

240A

3.5mΩ

DFN3X3-8L

AON7140/AON7240/AON7242

HMS90N04D

N

40V

20V

1.5V

90A

360A

2.2mΩ

DFN5X6-8L

AON6590/AON6144/AON6152/4/6

HMS110N04D

N

40V

20V

1.7V

110A

340A

2.4mΩ

DFN5X6-8L

AON6590/AON6144
AON6152/AON6154/AON6156

HMS150N04D

N

40V

20V

1.7V

50A

400A

1.6mΩ

DFN5X6-8L

AON6590/AON6144

HMS200N04D

N

40V

20V

1.5V

200A

450A

0.85mΩ

DFN5X6-8L

AON6590/AON6144
HMS50N06Q
N
60V
20V
3V
50A
200A
6.5mΩ
DFN3X3-8L

HMS60N06D

N

60V

20V

1.7V

60A

240A

4.0mΩ

DFN5X6-8L

AON6248/AON6266

HMS80N06D

N

60V

20V

1.7V

80A

320A

3.5mΩ

DFN5X6-8L

AON6242/AON6244/AON6246
AON6260/AON6160/AON644

HMS150N06D

N

60V

20V

2.5V

150A

600A

2.8mΩ

DFN5X6-8L

AON6160

HMS50N06/K

N

60V

20V

1.8V

50A

200A

15mΩ

TO-220
TO-252

STP50N06/IRFZ44N/SUD50N06/
SSF6808/AP50N06/PHD50N06/
FQP50N06/FTD50N06

HMS3205/K/D

N

60V

20V

1.7V

120A

480A

3.5mΩ

TO-220
TO-252
TO-263

IRF3205/DFP3205/MXP6008/RU3205/
RU6099/MT3205/UF3205/YR3205/
SSF5508/KIA3205/JCS3205C/
JCS110N05/IRF3203/WFP3205

HMS80N85/D

N

80V

20V

3.0V

85A

255A

6.8mΩ

TO-220 
TO-263


HMS85N95/D

N

85V

20V

3.0V

95A

380A

5.4mΩ

TO-220 
TO-263

HMS90N85D
N
85V
20V
3V
90A
360A
5.5mΩ
DFN5X6-8L

HMS100N85D

N

85V

20V

2.5V

100A

380A

5.3mΩ

DFN5X6-8L

HMS130N85D
N
85V
20V
3V
130A
520A
3.5mΩ
DFN5X6-8L

HMS140N85
N
85V
20V
3V
140A
560A
3.5mΩ
TO-220

HMS160N85/D
N
85V
20V
3V
160A
640A
2.95mΩ
TO-220
TO-263

HMS18N10Q/D

N

100V

20V

1.8V

18A

72A

20mΩ

DFN3X3-8L
DFN5X6-8L

AON6484/AON6486AON7292/
AON7296/AON7450

HMS40N10D

N

100V

20V

1.7V

40A

160A

7.2mΩ

DFN5X6-8L

AON6224/AON6298

HMS60N10D

N

100V

20V

2.5V

60A

240A

8.5mΩ

DFN5X6-8L

AON6298/AON6450/SiR878ADP/
SiR876ADPSiR882ADP/SiR846ADP/
SiR804DP/SiR870ADP/SiJ470DP/
SM1A06NSKP

HMS60N10DA

N

100V

20V

1.7V

60A

240A

7.2mΩ

DFN5X6-8L

AON6298/AON6450/SiR878ADP/
SiR876ADP/SiR882ADP/SiR846ADP/
SiR804DP/SiR870ADP/SiJ470DP/
SM1A06NSKP
HMS85N10DA
N
100V
20V
1.8V
85A
340A
6.1mΩ
DFN5X6-8L

HMS85N10KA
N
100V
20V
1.8V
85A
320A
6.3mΩ
TO-252

HMS95N10DA
N
100V
20V
1.7V
95A
380A
5.6mΩ
DFN5X6-8L

HMS105N10D

N

100V

20V

2.5V

105A

400A

3.5mΩ

DFN5X6-8L

HMS125N10D
N
100V
20V
2.5V
125A
500A
3.8mΩ
DFN5X6-8L

HMS80N10A/
D/KA/AL

N

100V

20V

1.7V

80A

320A

7.2mΩ

TO-220
TO-263
TO-252
TO-251S

IRFB4610/IRFB4710/IRFB4510
IRF8010/AOT296/AOT298/AOT412

HMS4030/D

N

100V

20V

2.5V

115A

345A

8.5mΩ

TO-220
TO-263

IRLB4030/IRFB4310
AOT1100/AOT290/AOT410

HMS4030A/DA

N

100V

20V

3.0V

120A

360A

4.5mΩ

TO-220
TO-263

IRLB4030/IRFB4310
AOT1100/AOT290/AOT410

HMS4110T

N

100V

20V

3.0V

180A

720A

3.0mΩ

TO-247

IRFB4110/IRFB4310/AOT1100/
AOT290/AOT410

HMS50N120DA

N

120V

20V

1.7V

50A

200A

10mΩ

DFN5X6-8L

HMS20N15K

N

150V

20V

3.3V

20A

80A

65mΩ

TO-252

AOD254/AOD256/AOD4454/
SUD15N15/SUD25N15/
IRFR4615//IRFR18N15D/
AP20N15GH/IRFR24N15D

HMS20N15KA

N

150V

20V

1.9V

20A

80A

56mΩ

TO-252

AOD254/AOD256/AOD4454/
SUD15N15/SUD25N15/
IRFR4615/IRFR18N15D
AP20N15GH/IRFR24N15D

HMS45N15K/D

N

150V

20V

3.1V

23A/
-20A

45A

24mΩ

TO-252/
DFN5X6-8L

AON6160

HMS50N15LD

N

150V

20V

2.5V

50A

200A

25mΩ

DFN5X6-8L

AON6160

HMS80N15
N
150V
20V
2.5V
80A
320A
12.5mΩ
TO-220

HMS80N15D
N
150V
20V
3.0V
80A
320A
10mΩ
DFN5X6-8L

HMS110N15

N

135V

20V

2.5V

110A

440A

6.3mΩ

TO-220

IRFB52N15D/IRFB41N15D/IRF3415
IRFB4615/IRFB5615/STP50N15/
IXTH50N15/IRFB4321/G/SUP85N15

HMS15N25K
N
250V
20V
3.5V
15A
60A
200mΩ
TO-252

HMS25N25F
N
250V
20V
3.5V
25A
100A
60mΩ
TO-220F

HMS25N25K
N
250V
20V
3.5V
25A
100A
60mΩ
TO-252

HMS80N25F
N
250V
20V
3.5V
80A
320A
18.5mΩ
TO-220F

HMS80N25D
N 250V
20V
3.5V
80A
320A
16mΩ
TO-263


雙N溝道中壓大電流超級溝槽MOS

型號

溝道

VDS(Max)

VGS

VTH(Typ)

 (Max)

IDM

RDS(on)(Max)

封裝

直接替代型號

HMS35DN10DA

雙N溝道

100V

20V

2.0V

35A

140A

18mΩ

DFN5X6-8L


備注:
1. 標注的Id電流是MOS芯片的最大常態電流,實際使用時的最大常態電流還要受封裝的最大電流限制。因此客戶設計產品時的最大使用電流設定要考慮封裝的最大電流限制。建議客戶設計產品時的最大使用電流設定更重要的是要考慮MOS的內阻參數。
2. 建議在MOS的柵源(G/S)極之間并一個電阻(10K)和一個穩壓二極管(5V-12V)起到保護柵源(G/S)極過壓的作用。
3.建議MOS管的開啟電壓盡量提高,這樣MOS管才能充分開啟導通,這個時候內阻最小,不容易發燙。一般建議低壓MOS的VGS開啟電壓設定為4.5V以上,中高壓MOS的開啟電壓設定為10V以上.
4.MOS 電路操作注意事項:
靜電在很多地方都會產生,采取下面的預防措施,可以有效防止MOS 電路由于受靜電放電影響而引起的損壞:
? 操作人員要通過防靜電腕帶接地。
? 設備外殼必須接地。
? 裝配過程中使用的工具必須接地。
? 必須采用導體包裝或抗靜電材料包裝或運輸

華之美半導體超級溝槽工藝MOS系列產品采用了具有電荷平衡功能的屏蔽柵深溝槽技術,全面提升了器件的開關特性和導通特性,同時降低了器件的特征導通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg)。通過采用這一先進技術,最新的30V-100V中低壓MOS產品的FOM(品質因數(Rdson*Qg))比上一代產品降低了45%。新款超級溝槽工藝MOS的軟體二極管性能可以有效降低同步整流中的電壓尖峰,實現在AC/DC電源的同步整流中快速開關。
 
超級溝槽工藝技術全面提升了產品的導通電阻溫度特性,有效控制了器件導通電阻隨溫度增加而上升的幅度,以100V產品為例,對比上一代溝槽型MOSFET產品,超級溝槽工藝技術將器件175度下的導通電阻倍增因子([email protected]=175C/[email protected]=25C)由原有的2.29降低為2.09,從而顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性。超級溝槽工藝MOS產品將更適宜于高溫嚴酷環境下的應用!
 
配合先進的封裝技術,超級溝槽工藝技術致力于提升MOSFET器件在電能轉換過程中的系統效率和功率密度,同時確保在苛刻環境下開關過程中的抗沖擊耐量,實現快速、平穩、高效的電源管理。
 
目前推出的量產品種包含30、40、60、80V、100V的中低壓系列,同時為您帶來包括TO-247、TO-220、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封裝外形選擇。
 
特點與優勢:
 
· 極低的Rdson                             
· 極低的Qg和Qgd                         
· 極低的FOM(Rdson*Qg)           
· 高溫下的電流能力更強
· 快速柔軟恢復的體二極管特性   
· 低Crss/Ciss,增強抗EMI能力    
· 高UIS耐量,100%出廠測試          
· 符合RoHS標準
 
應用:
 
· 交流/直流電源的同步整流           
· 直流電機驅動            
· 逆變器          
· 電池充電器和電池保護電路
· 26V-96V系統中的馬達控制                
· 隔離的直流-直流轉換器                           
· 不間斷電源


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